[경상매일신문=신동선기자]  최근 포스텍 연구팀이 고집적 메모리소자인 멤리스터 어레이 제작에 성공해 학계의 이목을 집중시키고 있다. 28일 포스텍에 따르면 포스텍 신소재공학과 이태우 교수, 연구교수 Wentao Xu, 박사과정 이영준씨가 나노와이어(nanowire, 나노선) 정렬 프린팅 공정을 이용해 고집적 메모리소자인 멤리스터(memristor)*2 어레이를 제작하는데 성공했다. 개발된 고집적 멤리스터 어레이는 공정 속도가 빠르고 생산비용이 저렴할 뿐 아니라, 눈에 보이지 않는 미세한 나노선을 이용해 투명 전자소자나 웨어러블 기기 소자의 상용화에 큰 도움을 줄 전망이다.  이 기술은 재료과학 분야 세계적 권위지인 ‘어드밴스드 머터리얼스(Advanced Materials)’지 인사이드 커버 논문으로 게재됐다. 연구팀은 나노선이 원하는 방향과 위치에 맞게 조절하는 것이 어려워 실제로 큰 면적과 고집적도를 가진 전자소자로 구현하기 힘들었으나, 전기장을 이용해 금속 나노선을 기판 위에 직접 정렬시키는 기술을 메모리 소자 어레이 제작에 응용했다. 이 기술은 크로스바(cross-bar) 모양으로 두 번을 교차 정렬해 프린팅된 금속나노선을 이용, 3층의 금속-산화물-금속 커패시터 구조를 만드는 아주 빠르고 간단한 공정이다.  또 나노구조체의 패턴형태나 간격을 자유롭게 조절할 수 있어 소자의 특성이나 집적도도 쉽게 제어할 수 있다.  이 방식을 이용해 초정밀의 나노 프린터를 만들게 되면 아주 작은 크기의 메모리 소자 제작도 가능한 것으로 알려졌다. 특히 연구팀은 이번 연구결과로 한계에 다다를 것으로 예상되는 무어의 법칙(컴퓨터 메모리양이 18개월마다 2배로 증가)을 이어갈 수 있을 것으로  기대했다. 연구를 주도한 이태우 교수는 “기존의 멤리스터 제조 방법에 비해 시간과 비용이 크게 줄어들었을 뿐 아니라 공법도 간단해져 프린팅 기술을 이용한 고집적 메모리 소자의 응용성을 높일수 있을 것”이라며 “특히 이번 성과는 입는(wearable) 컴퓨터, 섬유 전자소자, 플렉서블(flexible) 전자소자 등을 위한 원천기술로 응용될 것”이라고 밝혔다.